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» 2014年08月12日 12時00分 公開

14ナノプロセスルールで性能改善:Intel、Broadwell世代の「Core M」概要を公開 (2/2)

[長浜和也,ITmedia]
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第2世代トライゲートの導入でパッケージサイズをさらに削減

 製造技術ではプロセスルールの微細化と第2世代のトライゲートトランジスタの導入でパッケージの底面積がHaswell世代の半分に、高さも30%削減となったほか、電力効率が改善した。また、Turbo Boost Technologyも拡張して消費電力と熱管理の最適化が進んだ。このことで、ワット当たりの処理性能は2倍に向上し、アイドル状態の消費電力は60%も向上したという。

22ナノメートルプロセスルールから14ナノメートルプロセスルールへの移行でワット当たりの性能は2倍に向上する(写真=左)。プロセスルールの縮小とリーク電流の関係。軽量薄型のノートPCに搭載するCPUで、リーク電流の削減が大きく改善する(写真=右)

 22ナノメートルプロセスルールから14ナノメートルプロセスルールへの移行でパッケージサイズが削減した理由としては、トランジスタのフィン間隔(60ナノメートルから42ナノメートル)やゲート間隔(90ナノメートルから70ナノメートル)、インターコネクト間隔(80ナノメートルから52ナノメートル)と縮小したことが貢献したとIntelは説明している。

トライゲートトランジスタのフィン間隔を第1世代と第2世代で比較する(写真=左)。プロセスルールの縮小に伴うパッケージサイズの推移。競合は14ナノメートルプロセスルールを導入してもパッケージサイズを縮小できないとインテルは主張する(写真=右)

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Intel | Broadwell | CPU | 14nmプロセス | Core M


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