製造技術ではプロセスルールの微細化と第2世代のトライゲートトランジスタの導入でパッケージの底面積がHaswell世代の半分に、高さも30%削減となったほか、電力効率が改善した。また、Turbo Boost Technologyも拡張して消費電力と熱管理の最適化が進んだ。このことで、ワット当たりの処理性能は2倍に向上し、アイドル状態の消費電力は60%も向上したという。
22ナノメートルプロセスルールから14ナノメートルプロセスルールへの移行でパッケージサイズが削減した理由としては、トランジスタのフィン間隔(60ナノメートルから42ナノメートル)やゲート間隔(90ナノメートルから70ナノメートル)、インターコネクト間隔(80ナノメートルから52ナノメートル)と縮小したことが貢献したとIntelは説明している。
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