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» 2014年04月23日 22時00分 UPDATE

世界初15nmプロセスのNANDフラッシュメモリ――東芝とSanDiskから

15nm(ナノメートル)プロセスによるNANDフラッシュメモリが登場。東芝は2014年4月末から、米SanDiskは同年後半から量産を開始する。

[ITmedia]
tm_1404_15nm_nand_01.jpg 東芝が開発した15nmプロセスのNANDフラッシュメモリ

 東芝は4月23日、世界初という15nm(ナノメートル)プロセスによる2ビット/セルの128Gビット(16Gバイト)NANDフラッシュメモリを開発したと発表した(2014年4月23日現在で世界初/同社調べ)。4月末から同社四日市工場の第5製造棟にて、現行世代の19nm第2世代品から切り替えて順次量産する。現在建設中の第5製造棟(第2期分)の完成後、2014年秋には同棟でも製造する。

 15nmプロセスルールの適用とともに、周辺回路の工夫により世界最小クラスのチップサイズを実現。19nm第2世代品と比較した場合、書き込み速度はほぼ同等、データ転送速度は1.3倍の533Mビット/秒となる。

 本プロセスを採用した3ビット/セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発中の新NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定だ。また、ノートPC用SSDの開発も進める。


 なお、米SanDiskも4月22日(現地時間)、世界初をうたう15nm(ナノメートル)プロセスによるNANDフラッシュメモリの出荷を開始したと発表した。同社1Z世代のフラッシュメモリとして、2ビットセル(X2)と3ビットセル(X3)両方を提供する。量産立ち上げは2014年後半の予定だ。

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