PCの新たな可能性を切り開く「Optane Persistent Memory」――「Intel Memory & Storage Day」レポート その2（5/5 ページ）
» 2019年10月21日 12時00分 公開
[鈴木雅暢，ITmedia]
4層技術で記録密度が2倍に、ニューメキシコに新製造拠点も
Memory & Storage Dayでは、Optane Persistent Memory以外にも、Optane Technologyに関するトピックが幾つかあった。
Optane Technologyのベース技術である「3D XPoint」のメモリセルアレイは、交差するビットライン（Bit line）とワードライン（Word line）の間にメモリセル／セレクタを実装する構造をとる。現行のビットラインの上と下にメモリセルがある2層構造を2つ重ねた4層構造とすることで、記録密度を2倍にできる次世代技術の開発を進めているという。
データセンター向け製品では、開発コードネーム「Alderstream」として次世代のOptane SSDが開発中であることもアナウンスされた。公開された情報によると、これまで以上に大きなパフォーマンスアップをしており、同じ世代のクライアント向けモデルにも期待が高まる。
さらに、米国ニューメキシコ州リオランチョの施設での新しいOptaneの技術開発ラインの稼働計画を公表し、今後もOptane Technologyの開発を継続していく姿勢を示した。
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