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» 2019年10月01日 13時00分 公開

96層QLCの「Intel 665P」をデモ さらに144層QLCへ――「Intel Memory & Storage Day」レポート (1/4)

Intelが、SSDを含むストレージ関連の半導体技術を一挙に紹介する「Intel Memory & Storage Day」を韓国で開催した。この記事では、同社のクライアントデバイス向けSSDや、それを支える3D NAND技術に関する動向を紹介する。

[鈴木雅暢,ITmedia]

 Intelは9月26日、韓国ソウルでメモリやストレージに対する取り組みや技術などを紹介するイベント「Memory & Storage Day」を開催した。

 この記事では、主にクライアント向けSSDと、3D NAND技術に関するトピックをまとめる。

96層3D NAND搭載SSD「Intel 665P」を2019年第4四半期から投入

 メイン会場に隣接したデモエリアでは、96層QLC 3D NANDフラッシュメモリを搭載した未発表のクライアント向けSSD「Intel 665P」の実動デモが行われていた。

 従来の64層3D NANDフラッシュメモリを搭載した「Intel 660P」の後継にあたり、2019年第四半期(10〜12月)に投入される予定という。詳細なスペックについて具体的な数値などは公開されなかったが、デモ機のベンチマークテスト結果から、シーケンシャル、ランダム共に読み書き性能が大きく向上していることが分かる。

Intel 665P Intel 665P。96層のQLC NANDフラッシュメモリを搭載している
デモエリア デモエリアの展示の様子
660pのスコア こちらが現行のIntel 660P搭載機のスコア。ベンチマークテストは「CrystalDiskMark 7 Beta 2」の64bit版が使われていた
665pのスコア Intel 665P搭載機のスコア。一番上の列のシーケンシャルリード/ライト、一番下の列の4Kランダムリード/ライトともに大きく向上しているが分かる
見た目はほぼ同じ 左が665P、右が660P。外観上の違いはコントローラ(いずれもSilicon Motion製)のロゴが異なる程度で、ほとんど変わらない
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