IntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の128GビットNANDフラッシュメモリ：64Gビット版は量産開始

[池田憲弘，ITmedia]

　IntelとMicron Technologyは12月6日（現地時間）、20ナノメートルプロセスルールに基づく128GビットのMLC NANDフラッシュメモリを発表した。小型で大容量のストレージが求められるスマートフォン、タブレット端末、SSD、デジタル家電などへの搭載を想定する。

20ナノメートルプロセスルールに基づくフラッシュメモリのダイ

　両社の合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジー（IMFT）では、20ナノメートルプロセスルールに基づく128GビットNANDフラッシュメモリのダイ8個を使用し、指先ほどのサイズのパッケージに収めることで、業界で初めて1Tビットのデータストレージを実現した。

　平面セル構造のNAND型フラッシュメモリに初めてHi−Kメタルゲートを採用し、微細化の問題を克服しながら、旧世代と同等の性能と信頼性も実現したとする。この128GビットNAND型フラッシュメモリはONFI 3.0規格に準拠し、333Mバイト／秒の転送速度に対応する。

　また両社は、2011年12月より20ナノメートルプロセスルールに基づく64GビットのNANDフラッシュメモリの量産を開始した。128Gビット品のサンプル出荷は2012年1月に行う予定で、2012年前半に量産を開始する計画だ。