「Snapdragon 835」の性能はどこまで向上した？ ベンチマークテストを試す：Galaxy S7 edgeと比較

[田中聡，ITmedia]

　Qualcommが、3月22日に中国・北京で「Snapdragon 835 Benchmarking Workshop Beijing」を開催した。Benchmarking Workshopは、Qualcommが定期的に開催しているイベントで、その時点で最新となるモバイルプロセッサのベンチマークテストを行ったり、新プロセッサがもたらす機能のデモを体験したりできる。

　まずはSnapdragon 835についておさらいしておこう。835は、現在提供されているSnapdragon 820シリーズに続く、ハイエンドのプロセッサ。モバイル向けプロセッサとしては初めて10nm FinFETプロセスで製造されており、820と比べてパッケージサイズが35％小型化した。

「Snapdragon 835」を搭載したQualcommの開発者向けレファレンス機（写真＝左）。背面にカメラも搭載している（写真＝右）

百円玉と比較したチップの大きさ。左がSnapdragon 835、右がSnapdragon 820。835がより小型化されていることが分かる

プロセッサの世代を経て着々と小型化している

　CPUはQualcommが開発した「Kryo 280」を搭載しており、最大2.45GHz駆動のパフォーマンスコア（4コア）と最大1.9GHz駆動の高効率コア（4コア）で構成される。アプリの起動やWebブラウジング、VRアプリの利用といった比較的高い負荷の求められるシーンではパフォーマンスコアを、負荷の少ないシーンでは高効率コアが使われる。

2種類のコア群を使い分けている

　Snapdragon 820シリーズから25％の低消費電力を実現したほか、15分の充電で50％の充電が可能な急速充電の新規格「Quick Charge 4.0」にも対応する。

「Quick Charge 4.0」に対応

　新しいLTEモデム「Snapdragon X16」を内蔵しており、20MHzの周波数帯を4つ束ねる「キャリアアグリゲーション」、基地局と端末側に4つのアンテナを搭載する「4×4 MIMO」、情報密度を高めて一度に転送できるデータ量を増やす「256QAM」をサポート。理論値で下り最大1Gbpsの通信に対応する（820は下り最大600Mbps）のが大きな特徴だ。

Snapdragon 820はX16 LTEモデム、Hexagon DSP、Kryo 280 CPU、Adreno 540 GPU、カメラISP、独自の生体認証機能で構成されている

　現在のモバイル市場を見ると、ハイエンドスマートフォンの多くが「Snapdragon 820」シリーズを搭載しており、その数は200機種を超える。ちなみにSnapdragon 835の前製品は「Snapdragon 821」で、“Snapdragon 830”という製品は存在しない。バージョンアップの幅が大きいと考えたのか、型番は830を越えて835となった。

Snapdragon 820シリーズの搭載機

　Snapdragon 835を搭載したスマートフォンは、ソニーモバイルコミュニケーションズが「Xperia XZ Premium」を発表しており、2017年春以降の発売を予定している（恐らく日本でも発売されるだろう）。他にZTEやMotorolaも、Snapdragon 835を搭載し、理論値で下り最大1Gbpsの通信を実現するスマートフォンの投入を予定しているが、具体的な製品が判明しているのは現時点でXperia XZ Premiumのみ。また、Snapdragon 835はVR／ARデバイスへの搭載も見込んでいる。

現時点で数少ない、Snapdragon 835搭載機である「Xperia XZ Premium」

　イベントでは、Snapdragon 835を搭載したQualcommのレファレンス機にインストールされたベンチマークアプリを試せた。今回試したのは「AnTuTu Benchmark v6.2.7」「3D Mark」「PCMark」「Geekbench 4」「GFXBench GL」の5つ。比較対象として、「Snapdragon 820」を搭載した「Galaxy S7 edge SCV33」（Android 6.0）でも同じテストを実施した。なお、時間が限られていたため、テストは各アプリ1回しか行っていない。

各ベンチマークアプリで調べられる性能

レファレンス機の詳細。OSはAndroid 7.1.1で、プロセッサの型番は「MSM8998」となる

　まずはAnTuTu Benchmarkから。レファレンス機のスコアは184034で、93932のGalaxy S7 edgeとほぼ2倍の差をつけた。RAM（メモリの速度）の項目は大差なかったが、3D（3Dゲームの動作）、UX（データセキュリティ、画像処理、データの読み書きなど）、CPU（大容量アプリやマルチタスクなど）のスコアはレファレンス機が高得点だった。

AnTuTu Benchmarkのテスト結果。左がレファレンス機、右が「Galaxy S7 edge SCV33」のスコア

他機種との比較でも、iPhone 7／7 Plusを抑えてトップに

　ちなみにiPhone 7 PlusでもAnTuTu Benchmarkを走らせたところ、総合スコアは182893で、Snapdragon 835と互角。3DはSnapdragon 835の方が高いが、UX、CPU、RAMはiPhone 7 Plusの方が高かった。

iPhone 7 Plusのスコア

　3D Markは、本来なら最も高負荷の「Sling Shot Exream」を試したかったが、レファレンス機にインストールされていたものが「Sling Shot OpenGL ES 3.0」だったため、Galaxy S7 edgeでも同じテストを実行した。総合スコアはレファレンス機が4627、Galaxy S7 edgeが2756で、グラフィックとCPUのテストいずれも大きな差をつけた。

「3D Mark」のテスト結果。左がレファレンス機、右がGalaxy S7 edgeのスコア

　Geekbench 4のスコア（シングルコア／マルチコア）は、レファレンス機が2055／6495、Galaxy S7 edgeが1471／3823だった。

Geekbench 4のテスト結果。左がレファレンス機、右がGalaxy S7 edgeのスコア

　GFXBench GLでは、1080×1920ピクセルや1440×2560ピクセル（レファレンス機は1440×2392）の動画をひたすら描画していく。「高レベル」と「低レベル」のいずれのテストも、レファレンス機の方がGalaxy S7 edgeよりも描画数が多く、高いフレームレート（FPS）を記録した。例えば高レベルの動画では、Galaxy S7 edgeは7〜8FPSだったところ、レファレンス機は40〜43FPSと差をつけていた。

「GFXBench GL」のテスト結果。左がレファレンス機、右がGalaxy S7 edgeのスコア

　Snapdragon 820から大きく性能アップしていることが分かったSnapdragon 835。もちろん計測中にレファレンス機のボディーが熱くなることもなく、CPUの放熱対策も行われていることが分かる（放熱性能はボディーの構造やサイズにもよるが）。今回試したベンチマークテストはCPU、GPU、メモリの性能を測るもので、これでSnapdragon 835の全てが分かるわけではない。重要なのは、835でどんなモバイル体験ができるようになるかという点。ベンチマークテスト後にデモを体験してきたので、別途紹介する。

• →Gigabit LTE、新しいVR体験、セキュリティ機能の強化　「Snapdragon 835」で変わること

（取材協力：クアルコムジャパン）