Quick Charge 4.0や下り1GbpsのLTE通信に対応――「Snapdragon 835」発表：CES 2017
Qualcommが1月3日（米国時間）、CES 2017にて、モバイル端末向けの最新プロセッサ「Snapdragon 835」を発表した。
Snapdragon 835は、現在提供されているSnapdragon 820シリーズに続く、ハイエンドのプロセッサ。モバイル向けプロセッサとしては、初めて10nm FinFETプロセスで製造されており、820と比べてパッケージサイズが35％小型化したほか、25％の低消費電力を実現している。
CPUはQualcommが開発した「Kryo 280」を搭載しており、最大2.45GHz駆動の4コアと最大1.9GHz駆動の4コアで構成される。
急速充電規格の「Quick Charge 4.0」に対応。Quick Charge 3.0と比較して充電スピードが最大20％速くなり、最大30％充電効率が改善された。
LTEモデムは「Snapdragon X16」を内蔵しており、下りはLTE Category 16、上りはLTE Category 13をサポート。20MHz×4のキャリアアグリゲーションと最大256QAMによって下りは最大1Gbps、「Qualcomm Snapdragon Upload+」、20MHz×2のキャリアアグリゲーション、最大64QAMによって上りは最大150Mbpsの通信（いずれも理論値）が可能。
Wi-Fiは複数端末に複数信号を同時に送信する「MU-MIMO（マルチユーザーMIMO）」が可能な「802.11ac Wave-2」に対応するほか、60GHz帯を使って最大4.6Gbpsの通信が可能な「802.11ad」もサポートする。Bluetoothは最大2Mbpsの通信が可能な「Bluetooth 5」をサポートする。
Snapdragon 835はAndroidやWindows 10搭載デバイス、VR／ARデバイス、IPカメラ、タブレット、モバイルPCなどへの搭載が想定されており、2017年前半に搭載デバイスが発売される見込み。
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